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消費(fèi)市場(chǎng)的不斷升級(jí)和科技創(chuàng)新的快速發(fā)展，催生了 5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等 "新的基礎(chǔ)設(shè)施" 上下游產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體市場(chǎng)也迎來(lái)了巨大的發(fā)展機(jī)遇。

以氮化鎵（Gan) 和碳化硅（SiC) 為代表的第三代半導(dǎo)體和以氧化鎵（Ga2O3) 和金剛石（金剛石）為代表的第四代半導(dǎo)體材料作為支撐 "新基礎(chǔ)設(shè)施" 的核心材料，近年來(lái)受到越來(lái)越多的關(guān)注。

與第一代和第二代半導(dǎo)體材料不同，第三代半導(dǎo)體材料具有頻率高、效率高、功率大、耐高壓、耐高溫、耐輻射等特點(diǎn)，在 5G、新能源、消費(fèi)電子、航空航天等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。

第四代半導(dǎo)體材料體積小、能耗低、功能強(qiáng)，可在惡劣的環(huán)境條件下更好地應(yīng)用于光電器件和電力電子器件。近年來(lái)氧化鎵晶體生長(zhǎng)技術(shù)的突破性進(jìn)展極大地推動(dòng)了太陽(yáng)能盲紫外光電子器件和大功率電力電子器件的研究，對(duì)人民生活和國(guó)防具有重大的戰(zhàn)略意義。

不幸的是，盡管市場(chǎng)需求明顯，但中國(guó)逾 2 / 3 的半導(dǎo)體產(chǎn)品完全依賴(lài)進(jìn)口，尤其是在高端地區(qū)，貿(mào)易壁壘更為嚴(yán)重。如何解決半導(dǎo)體材料的 "頸部危機(jī)"，影響到許多中國(guó)人的心。

在日本攻讀碩士學(xué)位回國(guó)的陳委員是其中一位感動(dòng)的人。在他出國(guó)留學(xué)期間，陳委員的研究方向是氧化鎵，日本是世界上第三代和第四代半導(dǎo)體材料開(kāi)始研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)先國(guó)家之一。

這一獨(dú)特的經(jīng)歷導(dǎo)致陳委員決定致力于新一代超寬帶隙半導(dǎo)體氧化鎵材料的生產(chǎn)、學(xué)習(xí)和研究。

2017 年底，北京鎵技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)鎵技術(shù)）正式成立。作為國(guó)內(nèi)第一家專(zhuān)業(yè)從事第四代（超寬帶隙）半導(dǎo)體氧化鎵材料開(kāi)發(fā)和應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化的高科技公司，鎵技術(shù)致力于開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)新型超寬帶隙半導(dǎo)體材料高質(zhì)量單晶和外延襯底、高靈敏度日盲紫外探測(cè)器、高頻大功率器件。

陳委員說(shuō)，氧化鎵作為一種具有獨(dú)特光電和功率特性的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來(lái)已成為繼硅之后的電力電子器件領(lǐng)域最有前途的材料。

他指出，目前市場(chǎng)上半導(dǎo)體材料的使用有三大難點(diǎn)：" 首先，由于硅功率器件轉(zhuǎn)換效率低，功率損耗大；目前，在≤1700V 的中、低壓市場(chǎng)上，硅基實(shí)施困難，碳化硅和氮化鎵成本高；最重要的是，在目前的超高電壓市場(chǎng)上，沒(méi)有合適的材料可用于超高壓功率器件。

鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)了基于氧化鎵的太陽(yáng)能盲紫外探測(cè)器分立器件和陣列成像器件，為深紫外光電器件提供了很好的解決方案，能夠支持非常弱的火焰和極弱的電弧實(shí)時(shí)檢測(cè)，并引入了一個(gè)系統(tǒng)模塊。

基于氧化鎵的肖特基二極管是最早介入市場(chǎng)的氧化鎵電力電子器件之一。鎵家族和合作單位已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了 1000 V 耐壓肖特基二極管模型的制造，并實(shí)現(xiàn)了 5000 V 耐壓 MOSFET 模型的制造。

　　陳政委透露，鎵技術(shù)目前已申請(qǐng) 40 多項(xiàng)專(zhuān)利，完成了試點(diǎn)行業(yè)的技術(shù)、人員、硬件、軟件等初步準(zhǔn)備工作。

公司擁有廠房面積 1500 平方米，涵蓋一條完整的工業(yè)試驗(yàn)生產(chǎn)線(xiàn)，具有研發(fā)和小批量生產(chǎn)能力，初步建成氧化單晶基材、氧化鎵異質(zhì) / 均相外延襯底生產(chǎn)和研發(fā)平臺(tái)。今后，將改進(jìn)六個(gè)平臺(tái)，如晶體生長(zhǎng)、晶體加工、外延膜性能測(cè)試、微納米加工、聯(lián)合研究與開(kāi)發(fā)。

鎵技術(shù)擁有員工 30 人，占技術(shù)人員的 85%，其核心團(tuán)隊(duì)成員是美國(guó)、日本、德國(guó)留學(xué)博士或清華大學(xué)、南開(kāi)大學(xué)等國(guó)內(nèi)著名大學(xué)博士。陳光誠(chéng)本人是日本佐賀大學(xué)九州同步光輻射中心的博士。他在半導(dǎo)體器件研究方面有長(zhǎng)期的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

目前，鎵技術(shù)主要面向 B 方市場(chǎng)，采用直銷(xiāo)方式。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上，鎵科技服務(wù)客戶(hù)主要是高校，迄今已為國(guó)內(nèi) 30 多所知名高校服務(wù)，包括中國(guó)科技大學(xué)、南方科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)等。

在 2019 年，鎵技術(shù)開(kāi)始向工業(yè)公司開(kāi)放服務(wù)。現(xiàn)在，它已經(jīng)為 100 多家從事氧化鎵后端設(shè)備開(kāi)發(fā)的研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)客戶(hù)提供了上游物質(zhì)支持，如中國(guó)電氣科技公司、中國(guó)航空航天公司、國(guó)家電網(wǎng)公司、索斯克技術(shù)公司等。

在國(guó)際市場(chǎng)上，美國(guó)、新加坡、韓國(guó)和一些歐洲國(guó)家，也有大量的需求使用。然而，由于氧化鎵的生產(chǎn)和能源不足，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)仍處于供需不平衡的狀態(tài)。鎵技術(shù)目前只向國(guó)際市場(chǎng)提供樣品設(shè)備。在彌補(bǔ)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)差距的基礎(chǔ)上，Gallium 科技計(jì)劃明年推出國(guó)際市場(chǎng)，該公司的目標(biāo)是到 2021 年實(shí)現(xiàn)收支平衡。

近年來(lái)，在 "新基礎(chǔ)設(shè)施" 和國(guó)內(nèi)替代需求強(qiáng)勁的推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的上下游廠商迎來(lái)了一個(gè)發(fā)展的窗口期。最近，一些半導(dǎo)體企業(yè)獲得了資金支持，科技創(chuàng)新委員會(huì)的首次公開(kāi)募股（IPO) 也實(shí)現(xiàn)了。

由于第三代和第四代半導(dǎo)體加工生產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備要求較低，國(guó)內(nèi)企業(yè)與國(guó)外領(lǐng)先半導(dǎo)體的差距小于第一代和第二代半導(dǎo)體，國(guó)內(nèi)企業(yè)有繞行超車(chē)的機(jī)會(huì)，因此細(xì)分領(lǐng)域的龍頭企業(yè)值得關(guān)注。

2017 年 12 月，Gallium 科技公司得到了北京三鑫創(chuàng)業(yè)轉(zhuǎn)化投資基金提供的 2000 萬(wàn)元的天使式投資，并繼續(xù)受到資金的關(guān)注。陳政委透露，鎵技術(shù)即將完成新一輪 A 前融資，資金將主要用于生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)、人員成本、運(yùn)營(yíng)和辦公、營(yíng)銷(xiāo)、消耗品能源等方面。

今后，鎵技術(shù)將繼續(xù)擴(kuò)大氧化鎵光電系統(tǒng)的生產(chǎn)、研究和開(kāi)發(fā)能力，建立完整的產(chǎn)業(yè)鏈，為不同的客戶(hù)需求提供合理的解決方案和產(chǎn)品。對(duì)于鎵技術(shù)的最新發(fā)展，企業(yè)家國(guó)家將繼續(xù)關(guān)注。